型号:IDT71V35761YSA200BQ | 类别:存储器 | 制造商:IDT, Integrated Device Technology Inc |
封装:165-TBGA | 描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA |
详细参数
类别 | 存储器 |
---|---|
描述 | IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA |
系列 | - |
制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
格式_存储器 | RAM |
存储器类型 | SRAM - 同步 |
存储容量 | 4.5M(128K x 36) |
速度 | 200MHz |
接口 | 并联 |
电压_电源 | 3.135 V ~ 3.465 V |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
封装/外壳 | 165-TBGA |
供应商器件封装 | 165-CABGA(13x15) |
包装 | 托盘 |
供应商
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北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
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北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
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深圳市毅创弘电子科技有限公司 | 可乔086-0755-83514939 |
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IDT, Integrated Device Technology Inc
119-BGA
IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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1210(3225 公制)
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8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
RES NET 50K OHM 5 RES 8-SOIC
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网络、阵列
Rohm Semiconductor
1206(3216 公制),凸起
RES ARRAY 2K OHM 4 RES 1206
- P6KE33A-T
TVS - 二极管
Diodes Inc
DO-204AC,DO-15,轴向
TVS UNI-DIR 33V 600W DO-15